50N06-TD

N溝道 耐壓:60V 電流:50A

N溝道 耐壓:60V 電流:50A

場效應管(MOSFET) TO-252 手冊量產型號

類型:N溝道 漏源電壓(Vdss):60V 連續漏極電流(Id):20.0A 功率(Pd):33W 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):26mΩ@10.0V,20A 閾值電壓(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA

型號
50N06-TD
品類
場效應管(MOSFET)
漏源電壓
60V
連續漏極電流
50A 10mΩ@10V
導通電阻(RDS(on))
12mΩ@4.5V
耗散功率
45W
產品參數
漏源電壓60V
連續漏極電流50A 10mΩ@10V
導通電阻(RDS(on))12mΩ@4.5V
耗散功率45W
閾值電壓(Vgs(th))2.5V@250uA
類型N溝道
封裝TO-252
工作溫度-55℃~+150℃
階梯價格
說明:以上爲公開參考價,實際成交價隨訂購數量、交期與結算方式確定。批量採購、樣品申請與正式報價請聯繫我方銷售。
訂購數量(只)單價(元/只)
1-9¥ 0.8035
10-29¥ 0.6358
30-99¥ 0.5520
100-499¥ 0.4892
500-999¥ 0.4389
1000+¥ 0.4137
相關資料

50N06-TD 數據手冊索引

收錄於《2026 Q2 量產產品手冊》第 70 頁

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